☰ Menu
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Piątek 21.02.2020

A A A A
A A+ A++
zaawansowane
NazwaTypDataOperacja
ZP/09/19 Dostawa Aparatury naukowej el. menu2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemel. menu2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/10/19 Dostawa aparatury naukowejel. menu2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemel. menu2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/11/19 Dostawa aparatury technologiczno-badawczejel. menu2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemel. menu2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/12/19 Dostawa aparatury naukowejel. menu2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemel. menu2020-01-14MODYFIKACJA
nowe podmenuel. menu2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemel. menu2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemel. menu2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemel. menu2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemel. menu2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemel. menu2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemel. menu2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemel. menu2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemel. menu2020-01-14UTWORZENIE
ZP/01/2020 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemdokument2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/01/2020 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemdokument2020-01-14MODYFIKACJA
ZP/01/2020 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemdokument2020-01-14MODYFIKACJA

<< [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] >>
 

Biuletyn Informacji Publicznej wykorzystuje pliki cookies.

Korzystanie z serwisu oznacza zgodę na ich zapis lub odczyt zgodnie z ustawieniami przeglądarki.

X