NazwaTypDataOperacja
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemdokument2020-02-14MODYFIKACJA
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemdokument2020-02-14MODYFIKACJA
SIWZ ZP_01_20 po zmianach - 22.01.2020.pdfplik2020-02-14UTWORZENIE
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemdokument2020-02-14MODYFIKACJA
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemdokument2020-02-14MODYFIKACJA
Sprostowanie ogłoszenia.pdfplik2020-02-14UTWORZENIE
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemdokument2020-02-13MODYFIKACJA
ZP/01/20 Dostawa systemu do krystalizacji warstw SiC, GaN i Grafenu metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej na podłożach do 6 cali wraz z montażem, instalacją i uruchomieniemdokument2020-02-13MODYFIKACJA
Informacja z otwarcia.pdfplik2020-02-13UTWORZENIE
OTWARCIEplik2020-02-13UTWORZENIE
Dyrekcjadokument2020-02-13MODYFIKACJA
Dyrekcjadokument2020-02-13MODYFIKACJA
Dyrekcjadokument2020-02-12MODYFIKACJA
Dyrekcjadokument2020-02-12MODYFIKACJA
brak danychdokument2020-02-11MODYFIKACJA
brak danychdokument2020-02-11MODYFIKACJA
brak danychdokument2020-02-11MODYFIKACJA
brak danychdokument2020-02-11MODYFIKACJA
refNP.pdfplik2020-02-11UTWORZENIE
brak danychdokument2020-02-11MODYFIKACJA

[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] >>